В лаборатории Иллинойсского университета в Урбане и Шампейне был создан перспективный вариант памяти на основе фазового перехода (phase-change memory, PCRAM).
Энергонезависимая PCRAM имеет оригинальный способ представления информации, которая кодируется уровнем сопротивления. Элементы такой памяти строятся на базе халькогенидного стекла (чаще всего — Ge2Sb2Te5), способного при нагреве электрическим током «переключаться» между двумя состояниями — кристаллическим и аморфным. Первое обладает низким сопротивлением, второе — высоким.
Одним из основных недостатков PCRAM считается то, что управление состоянием бита требует весьма высоких токов. Чтобы обойти это ограничение, инженеры заменили в элементах памяти традиционные металлические провода на электроды из углеродных нанотрубок. «Потребление энергии падает вместе с уменьшением объёма элемента, — комментирует участник исследования Фэн Сюн (Feng Xiong). — Наноразмерные контакты подходят здесь как нельзя лучше».

Четыре бита, которые находятся в разных состояниях (иллюстрация Eric Pop).

Один бит, таким образом, был представлен с помощью небольшого образца Ge2Sb2Te5, помещённого в прорезь в средней части нанотрубки. В результате ток, переводящий вещество в кристаллическую фазу, удалось снизить до 0,5 мкА, а ток обратного действия — до 5 мкА; у лучших образцов PCRAM, представленных ранее, эти параметры имели на два порядка более высокие значения. Проведя опыты примерно с сотней отдельных битов, авторы установили, что программирующее напряжение может опускаться ниже одного вольта.
Если «энергосберегающая» PCRAM выйдет на рынок, она может увеличить время автономной работы электронных устройств. «Здесь речь идёт не только о потребительской электронике, но и о спутниках, телекоммуникационном оборудовании, которое устанавливается в труднодоступных местах, научных приборах», — замечает другой участник работ Эрик Поп (Eric Pop).

Электроды из нанотрубок с прорезью, размещённые на подложке из диоксида кремния (иллюстрация Eric Pop).

(с) http://science.compulenta.ru/598646/