«Набирающий силу процесс перехода рынка на DDR3 мы встречаем ранним выходом DDR3 2 ГБ, изготовляемой с применением наиболее эффективного процесса производства DRAM, доступного сегодня,» - заявил Джим Эллиот (Jim Elliott), вице-президент Samsung Semiconductor по маркетингу памяти. Миграция на 40-нанометровую норму обеспечит 60%-ное повышение эффективности по сравнению с технологией 50 нм. Вдобавок, семимесячное «окно» между созданием новой технологии и массовым производством DDR3 (c января по июль 2009 г.) поможет OEM-клиентам Samsung быстрее оптимизировать их системы следующего поколения.
Монолитные двухгигабитовые чипы поддерживают скорость обмена данными до 1,6 Гб/с про напряжении 1,35 В и являются энергоэффективным решением для приложений, требующих высокоплотной быстродействующей памяти.
Наряду с модулями RDIMM для серверов, размером 16, 8 и 4 ГБ, компания будет выпускать на базе нового чипа UDIMM (unregistered in-line memory modules) для десктопов и рабочих станций или SODIMM (small outline dual in-line memory modules) для ноутбуков емкостью до 4 ГБ.
Известный производитель компьютерных комплектующих компания GEIL пополнила свою продуктовую линейку четырьмя новыми наборами двухканальной памяти DDR3, отличающиеся повышенной энергоэффективностью.
Новые наборы получили названия PC3-8500 (память DDR3 с частотой 1066 МГц) и PC3-10660 (память DDR3 с частотой 1333 МГц), каждый из них доступен в вариантах с емкостью 2 и 4 Гб.
При этом основное преимущество данных наборов памяти заключается в том, что они соответствуют стандарту JEDEC в области таймингов при рабочем напряжении на 10-20 процентов ниже спецификаций JEDEC. К примеру, при напряжении не более 1,3 вольта тайминги набора памяти PC3-10660 равняются 9-9-9-24, в то время как у набора PC3-8500 аналогичные показатели составляют 8-8-8-20. Малое энергопотребление и теплоотдача модулей памяти, входящих в новые наборы, позволило GEIL отказаться от использования с ними специальных радиаторных пластин-теплорассеивателей.
Все модули памяти GEIL, входящие в состав новых наборов, проходят жесткое тестирование на качество и снабжены пожизненной гарантией. Подробности о наборах памяти PC3-8500 и PC3-10660 в различных модификациях приведены ниже:
Модельный номер GG32GB1066C8DC – емкость 2 x 1 Гб, набор памяти PC2-8500, тайминги 8-8-8-20, вольтаж 1,3 вольта
Модельный номер GG34GB1066C8DC – емкость 2 x 2 Гб, набор памяти PC2-8500, тайминги 8-8-8-20, вольтаж 1,3 вольта
Модельный номер GG32GB1333C9DC - емкость 2 x 1 Гб, набор памяти PC3-10660, тайминги 9-9-9-24, вольтаж 1,3 вольта
Модельный номер GG32GB1333C9DC - емкость 2 x 2 Гб, набор памяти PC3-10660, тайминги 9-9-9-24, вольтаж 1,3 вольта